Admin в 17:52, 10 апреля 2019

2019-04-10T17:52:07Z

← Предыдущая		Версия 17:52, 10 апреля 2019
Строка 1:		Строка 1:
	АДИРОВИЧ Эммануил Ильич (1915, [[Мелитополь]] – 1973, [[Ташкент]]), физик-теоретик. Акад. АН УзССР (1962). Окончил Моск. ун-т (1940). В 1940–62 работал в Физ. ин-те АН СССР, где защитил докт. дис. под рук. С.И.Вавилова (1949). С 1962 рук. созданного им отд. физики полупроводников Физ.-техн. ин-та им. С.В.Стародубцева АН УзССР в [[Ташкент\|Ташкенте]]. [[Категория:Персоналии]]Область науч. интересов – физика тв. тела и полупроводников. Один из основателей зонной теории люминесценции кристаллов, на основе к-рой впервые решил проблему безызлучательных электронных переходов в твердах телах, предсказал и открыл явление «холодной вспышки». Установил закон электронной поляризации и деполяризации фотоэлектретов, рассчитал распределение гетерозаряда и поля, развил общую теорию фотоэлектретного состояния и показал принцип, возможность создания фотоэлектрета без внеш. поляризующего ноля. Показал возможность существования экситонов нового типа, что позволило раскрыть механизм быстрой низкотемпературной поляризации. Заложил (совм. с др.) основы оптоэлектроники (развил теорию оптронов и оптронных цепей, открыл эффект аномально больших фотонапряжений и фотомагнитных напряжений в полупроводниковых пленках; развил оптоэлектронные методы корреляционной обработки больших, массивов информации). Один из основателей диэлектрич. электроники, решил ряд фундам. задач в этой области, разработал и иссл. диэлектрич. диодные структуры на основе тонких высокоомных монокристаллич. слоев кремния, арсенида галлия и карбида кремния. Создал Ташкентскую школу физики и электроники тв. тел. Автор св. 200 науч. работ. [[Категория:Персоналии]]Соч.: Нек-рые вопросы теории люминесценции кристаллов, М.-Л., 1951; М., 1956; Токи двойной инжекции в полупроводниках, М., 1978 (в соавт.); Фотоэлектрич. явления в полупроводниках и оптоэлектроника, [[Ташкент]], 1972 (в соавт.). [[Категория:Персоналии]]		АДИРОВИЧ Эммануил Ильич (1915, [[Мелитополь]] – 1973, [[Ташкент]]), физик-теоретик. Акад. АН УзССР (1962). Окончил Моск. ун-т (1940). В 1940–62 работал в Физ. ин-те АН СССР, где защитил докт. дис. под рук. С.И.Вавилова (1949). С 1962 рук. созданного им отд. физики полупроводников Физ.-техн. ин-та им. С.В.Стародубцева АН УзССР в [[Ташкент\|Ташкенте]]. [[Категория:Персоналии]]Область науч. интересов – физика тв. тела и полупроводников. Один из основателей зонной теории люминесценции кристаллов, на основе к-рой впервые решил проблему безызлучательных электронных переходов в твердах телах, предсказал и открыл явление «холодной вспышки». Установил закон электронной поляризации и деполяризации фотоэлектретов, рассчитал распределение гетерозаряда и поля, развил общую теорию фотоэлектретного состояния и показал принцип, возможность создания фотоэлектрета без внеш. поляризующего ноля. Показал возможность существования экситонов нового типа, что позволило раскрыть механизм быстрой низкотемпературной поляризации. Заложил (совм. с др.) основы оптоэлектроники (развил теорию оптронов и оптронных цепей, открыл эффект аномально больших фотонапряжений и фотомагнитных напряжений в полупроводниковых пленках; развил оптоэлектронные методы корреляционной обработки больших, массивов информации). Один из основателей диэлектрич. электроники, решил ряд фундам. задач в этой области, разработал и иссл. диэлектрич. диодные структуры на основе тонких высокоомных монокристаллич. слоев кремния, арсенида галлия и карбида кремния. Создал Ташкентскую школу физики и электроники тв. тел. Автор св. 200 науч. работ. [[Категория:Персоналии]]Соч.: Нек-рые вопросы теории люминесценции кристаллов, М.-Л., 1951; М., 1956; Токи двойной инжекции в полупроводниках, М., 1978 (в соавт.); Фотоэлектрич. явления в полупроводниках и оптоэлектроника, [[Ташкент]], 1972 (в соавт.). [[Категория:Персоналии]] [[Category:Московская еврейская энциклопедия]]

Admin: Importing text file

2009-07-11T14:53:47Z

Importing text file

Новая страница

АДИРОВИЧ Эммануил Ильич (1915, [[Мелитополь]] – 1973, [[Ташкент]]), физик-теоретик. Акад. АН УзССР (1962). Окончил Моск. ун-т (1940). В 1940–62 работал в Физ. ин-те АН СССР, где защитил докт. дис. под рук. С.И.Вавилова (1949). С 1962 рук. созданного им отд. физики полупроводников Физ.-техн. ин-та им. С.В.Стародубцева АН УзССР в [[Ташкент|Ташкенте]]. [[Категория:Персоналии]]Область науч. интересов – физика тв. тела и полупроводников. Один из основателей зонной теории люминесценции кристаллов, на основе к-рой впервые решил проблему безызлучательных электронных переходов в твердах телах, предсказал и открыл явление «холодной вспышки». Установил закон электронной поляризации и деполяризации фотоэлектретов, рассчитал распределение гетерозаряда и поля, развил общую теорию фотоэлектретного состояния и показал принцип, возможность создания фотоэлектрета без внеш. поляризующего ноля. Показал возможность существования экситонов нового типа, что позволило раскрыть механизм быстрой низкотемпературной поляризации. Заложил (совм. с др.) основы оптоэлектроники (развил теорию оптронов и оптронных цепей, открыл эффект аномально больших фотонапряжений и фотомагнитных напряжений в полупроводниковых пленках; развил оптоэлектронные методы корреляционной обработки больших, массивов информации). Один из основателей диэлектрич. электроники, решил ряд фундам. задач в этой области, разработал и иссл. диэлектрич. диодные структуры на основе тонких высокоомных монокристаллич. слоев кремния, арсенида галлия и карбида кремния. Создал Ташкентскую школу физики и электроники тв. тел. Автор св. 200 науч. работ. [[Категория:Персоналии]]Соч.: Нек-рые вопросы теории люминесценции кристаллов, М.-Л., 1951; М., 1956; Токи двойной инжекции в полупроводниках, М., 1978 (в соавт.); Фотоэлектрич. явления в полупроводниках и оптоэлектроника, [[Ташкент]], 1972 (в соавт.). [[Категория:Персоналии]]

АДИРОВИЧ Эммануил Ильич - История изменений

Admin в 17:52, 10 апреля 2019

Admin: Importing text file